[发明专利]低电容瞬变电压抑制器

摘要

本发明提出一种瞬变电压抑制器器件，包括一个P‑N结二极管和一个可控硅整流器，集成在一个半导体层的横向器件结构中。横向器件结构包括半导体区域的多个条形结构，沿半导体层主表面上的第一方向水平排布，限定了条形结构之间的电流传导区。可控硅整流器和P‑N结二极管的电流通路形成在每个电流传导区中，但是可控硅整流器的电流通路在第二方向上的每个电流传导区中，主要与P‑N结二极管的电流通路隔开，第二方向与半导体层主表面上的第一方向正交。本发明所述的瞬变电压抑制器器件实现了受保护节点处的低电容。瞬变电压抑制器器件适用于保护集成电路的数据引脚，尤其适用于当数据引脚用于高速器件应用时。

主权项

1.一种瞬变电压抑制器器件，其特征在于，包括：半导体区域的多个条形结构，沿半导体层的主平面上的第一方向水平排布，多个条形结构包括第一类型的交叉条形结构以及第二类型的条形结构，每个条形结构都在与第一方向上正交的第二方向上延伸，在一对相邻条形结构的第一部分中的半导体区域构成一个可控硅整流器，以及在一对邻近条形结构的第二部分中的半导体区域构成P‑N结二极管，第一部分和第二部分排布在第二方向上，第二方向与半导体层主表面上第一方向正交；其中多个条形结构限定在每一对相邻条形结构之间的电流传导区，每个电流传导区都包括可控硅整流器的第一电流通路以及P‑N结二极管的第二电流通路，可控硅整流器的第一电流通路在第二方向上，与每个电流传导区中P‑N结二极管的第二电流通路隔开，第二方向与半导体层主表面上的第一方向正交。