[发明专利]使用间隔体击穿的反熔丝元件有效
| 申请号： | 201811093402.5 | 申请日： | 2014-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN109326581B | 公开（公告）日： | 2023-01-10 |
| 发明（设计）人： | T·张;C-H·简;W·M·哈菲兹 | 申请（专利权）人： | 太浩研究有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/62 | 分类号： | H01L23/62;H01L23/525;H01L27/102;G11C11/00;G11C17/14;G11C17/16 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 爱尔兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了用于有效地实现可编程存储器阵列电路架构的技术和电路，该架构包括非易失性和易失性存储器两者。存储器电路采用反熔丝方案，该反熔丝方案包括1T位单元的阵列，其中，每个位单元有效地包含一个栅极或类晶体管器件，该类晶体管器件为该位单元提供反熔丝元件和选择器器件两者。具体来说，位单元器件具有非对称的基于沟槽的源极/漏极接触部，以使得一个接触部结合间隔体和栅极金属形成电容器，并且另一个接触部结合掺杂的扩散区和栅极金属形成二极管。电容器用作位单元的反熔丝元件，并且可以通过击穿间隔体来进行编程。二极管有效地提供了肖特基结，该肖特基结用作可以消除来自共享相同位线/字线的位单元的编程和读取干扰的选择器器件。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 间隔 击穿 反熔丝 元件 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路，包括：主体，所述主体包括半导体材料；第一间隔体和第二间隔体，所述第一间隔体和所述第二间隔体包括一种或者多种电介质，所述第一间隔体或所述第二间隔体中的至少一个位于所述主体之上；栅极结构，所述栅极结构包括一种或多种金属，所述栅极结构位于所述第一间隔体和所述第二间隔体之间，所述栅极结构位于所述主体的至少一部分之上；第一接触结构，所述第一接触结构包括一种或多种金属，所述第一接触结构与所述第一间隔体相邻，所述第一接触结构不与所述半导体材料直接接触；以及第二接触结构，所述第二接触结构包括一种或多种金属，所述第二接触结构与所述第二间隔体相邻，所述第二接触结构与所述半导体材料直接接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于太浩研究有限公司，未经太浩研究有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811093402.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种多芯片封装互联结构及多芯片封装互联方法
- 下一篇：封装结构及其制作方法
