[发明专利]太阳能电池中的相对掺杂物浓度水平

摘要

本发明提供了一种太阳能电池，所述太阳能电池可包括基板，所述基板具有面向太阳以在正常操作期间接收太阳辐射的正面和与所述正面相背对的背面。所述太阳能电池还可包括形成在所述基板的所述背面上方的多晶硅层。P型扩散区和N型扩散区可形成在所述多晶硅层中以提供对接的PN结。所述P型扩散区可具有第一掺杂物浓度水平并且所述N型扩散区可具有第二掺杂物浓度水平，以使得所述第一掺杂物浓度水平小于所述第二掺杂物浓度水平。

主权项

1.一种太阳能电池，包括：基板，所述基板包括正面和与所述正面相背对的背面，所述正面面向太阳以在正常操作期间接收太阳辐射；以及对接的PN结，所述对接的PN结形成在所述基板的所述背面的上方，介于P型扩散区与N型扩散区之间，其中所述P型扩散区由包括具有第一掺杂物浓度水平的第一掺杂物源的P型掺杂区形成，并且所述N型扩散区由包括具有第二掺杂物浓度水平的第二掺杂物源的N型掺杂区形成，所述第二掺杂物浓度水平大于所述第一掺杂物浓度水平。