[发明专利]基于CMOS工艺多频超材料吸收结构的太赫兹微测辐射热计在审
| 申请号： | 201811094141.9 | 申请日： | 2018-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN109443550A | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 马建国;王旭;傅海鹏;马凯学 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | G01J5/20 | 分类号： | G01J5/20 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 杜文茹 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种基于CMOS工艺多频超材料吸收结构的太赫兹微测辐射热计，包括有采用标准55nmCMOS工艺制成的硅衬底，硅衬底上设置有能够同时接收三个频段的电磁波的多频超材料吸收结构和接收多频超材料吸收结构的输出信号的PTAT温度传感电路，PTAT温度传感电路的输出端构成太赫兹微测辐射热计的输出端。本发明首次实现基于CMOS工艺的多频超材料吸收结构，结合新型PTAT温度传感电路构成太赫兹微测辐射热计，利用多频超材料吸收结构接收不同频率的电磁波，并将电磁能量转化为热量，再通过PTAT温度传感电路将热量转化为输出电信号，从而实现910GHz、2.58THz和4.3THz三个频段的太赫兹信号同时探测，进而获得了一种多频太赫兹热探测的有效方法。 | ||
| 搜索关键词： | 多频 吸收结构 超材料 微测辐射热计 温度传感电路 电磁波 硅衬底 输出端 频段 太赫兹信号 电磁能量 热量转化 输出信号 热探测 探测 输出 转化 | ||
【主权项】：
1.一种基于CMOS工艺多频超材料吸收结构的太赫兹微测辐射热计，包括有采用标准55nm CMOS工艺制成的硅衬底，其特征在于，所述的硅衬底上设置有能够同时接收三个频段(f1、f2、f3)的电磁波的多频超材料吸收结构(1)和接收多频超材料吸收结构(1)的输出信号的PTAT温度传感电路(2)，所述PTAT温度传感电路(2)的输出端构成太赫兹微测辐射热计的输出端。
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