[发明专利]一种氮化铝膜的制备方法在审
| 申请号： | 201811094398.4 | 申请日： | 2018-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN109285761A | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 刘忠范;慈海娜;高鹏 | 申请（专利权）人： | 北京石墨烯研究院;北京大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 吴娅妮;于宝庆 |
| 地址： | 100095 北京市海淀区苏家*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明一实施方式提供了一种氮化铝膜的制备方法，包括：提供垂直结构石墨烯纳米片；以及在所述垂直结构石墨烯纳米片上形成氮化铝膜。本发明一实施方式的制备方法，以垂直结构石墨烯纳米片作为氮化铝生长的缓冲层，再在石墨烯缓冲层上形成氮化铝薄膜，能够制得原子级平整、无应力的氮化铝薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨烯纳米片 垂直结构 氮化铝膜 制备 氮化铝薄膜 缓冲层 氮化铝 石墨烯 原子级 平整 生长 | ||
【主权项】：
1.一种氮化铝膜的制备方法，包括：提供垂直结构石墨烯纳米片；以及在所述垂直结构石墨烯纳米片上形成氮化铝膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京石墨烯研究院;北京大学，未经北京石墨烯研究院;北京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811094398.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
