[发明专利]一种光电子注入型X射线探测器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种光电子注入型X射线探测器件，包括衬底、栅电极、栅绝缘层、沟道半导体层、源电极、漏电极、源电极隔离层、漏电极隔离层、X射线光电导层、上电极及保护层，所述上电极与X射线光电导层的接触为欧姆接触或肖特基接触。本发明还公开了该光电子注入型X射线探测器的制备方法。本发明的光电子注入型X射线探测器件通过采用纵向堆叠的器件结构设计，采用高迁移率沟道半导体材料和高灵敏度X射线光电导材料，能够实现高灵敏度快速X射线探测，该器件同时具有传感器、放大器和开关的功能，将其应用于X射线探测和成像中能够有效提高平板X探测器的响应速度和灵敏性，实现快速高分辨率X射线成像。

主权项

1.一种光电子注入型X射线探测器件，其特征在于，包括：衬底；栅电极，其形成在所述衬底上；栅绝缘层，形成在栅电极上；沟道半导体层，形成在栅绝缘层上源电极和漏电极，其分别形成在所述栅绝缘层和沟道半导体层上；源电极隔离层和漏电极隔离层，其分别形成在所述源电极和漏电极层上；X射线光电导层，形成并覆盖在沟道半导体层、源电极隔离层及漏电极隔离层上；上电极，其形成在所述X射线光电导层上，且与X射线光电导层的接触为欧姆接触或肖特基接触；保护层，其形成在所述上电极层上。