[发明专利]高辐射效率高增益的硅基片上介质谐振天线及天线阵列

摘要

一种高辐射效率高增益的硅基片上介质谐振天线及天线阵列，有片上H形缝隙结构和通过绝缘胶层固定在片上H形缝隙结构上的矩形介质谐振块，片上H形缝隙结构是形成在集成工艺顶层金属上，并位于金属腔中，片上H形缝隙结构有两条平行形成的左垂直缝隙和右垂直缝隙，左垂直缝隙和右垂直缝隙相对应侧分别对应形成有一个倒L型的左侧缝隙和右侧缝隙，倒L型的左侧缝隙和右侧缝隙中的水平部分连接在所对应的左垂直缝隙和右垂直缝隙的中部，倒L型的左侧缝隙和右侧缝隙中的垂直部分相互平行构成天线与外部结构相连的两条引出缝隙。本发明有效克服硅基集成工艺设计天线时辐射效率及增益较低的难题，损耗更小，辐射效率和增益更高。

主权项

1.一种高辐射效率高增益的硅基片上介质谐振天线，包括有片上H形缝隙结构(1)和通过绝缘胶层(2)固定在所述片上H形缝隙结构(1)上的矩形介质谐振块(3)，其特征在于，所述片上H形缝隙结构(1)是形成在集成工艺顶层金属(4)上，并位于采用集成工艺中除集成工艺顶层金属(4)和集成工艺底层金属(101)以外的中间层金属及金属过孔堆叠形成的金属腔(15)中，其中，所述片上H形缝隙结构(1)包括有两条平行形成的左垂直缝隙(11)和右垂直缝隙(12)，所述左垂直缝隙(11)和右垂直缝隙(12)相对应侧分别对应形成有一个倒L型的左侧缝隙(13)和右侧缝隙(14)，所述倒L型的左侧缝隙(13)和右侧缝隙(14)中的水平部分连接在所对应的左垂直缝隙(11)和右垂直缝隙(12)的中部，所述倒L型的左侧缝隙(13)和右侧缝隙(14)中的垂直部分相互平行构成天线与外部结构相连的两条引出缝隙。