[发明专利]一种太阳能电池片扩散工艺

摘要

本发明公开了一种太阳能电池片扩散工艺,其特征在于，包括步骤：将硅片进行清洗、制绒处理，再放入扩散炉；将扩散炉温度加热至设定的第一温度，稳定后通入氧气，进行第一次氧化反应；温度加热至设定的第二温度，稳定后通入氧气、三氯氧磷，进行第一次扩散反应；温度加热至设定的第三温度，稳定后进行第二次扩散反应；温度加热至设定的第四温度，稳定后进行第二次氧化反应；温度进行冷却至第五温度，稳定后通入氧气、三氯氧磷，保持设定的第五时间；停止通入三氯氧磷，继续通入氧气，将扩散炉降温退火，退火后取出硅片即可。本发明在扩散工艺中，杂质P的扩散深度较浅，使硅表面形成重掺杂N+区域，增大电池片短路电流，提高电池转换效率。

主权项

1.一种太阳能电池片扩散工艺，其特征在于，包括如下步骤：（1）将硅片进行清洗、制绒处理；（2）将硅片放入扩散炉；（3）将扩散炉温度加热至设定的第一温度，待加热的温度值稳定在第一温度的范围值后通入氧气，并保持设定的第一时间，对硅片表面进行第一次氧化反应；（4）将扩散炉温度加热至设定的第二温度，待加热的温度值稳定在第二温度的范围值后通入氧气、三氯氧磷，并保持设定的第二时间，在硅片表面进行第一次扩散反应；（5）将扩散炉温度加热至设定的第三温度，待加热的温度值稳定在第三温度的范围值后保持设定的第三时间，在硅片表面进行第二次扩散反应；（6）将扩散炉温度加热至设定的第四温度，待加热的温度值稳定在第四温度的范围值后保持设定的第四时间，在硅片表面进行第二次氧化反应；（7）将扩散炉温度进行冷却至第五温度，待冷却的温度值稳定在第五温度的范围值后通入氧气、三氯氧磷，并保持设定的第五时间；（8）停止通入三氯氧磷，继续通入氧气，然后将扩散炉降温退火，退火后取出硅片即可。