[发明专利]具有静电防护能力的晶体管器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201811095487.0 | 申请日： | 2018-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN110931565A | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/8238;H01L21/336;H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有静电防护能力的晶体管器件及其制造方法，第一漏极结构区下方的第一阱区中形成有第一附加注入区，所述第一阱区为N型阱区，所述第一附加注入区与所述第一漏极结构区的底部相连并对准所述第一漏极结构区的接触区域，通过所述第一附加注入区能够降低所述第一阱区的结击穿电压，垂直的结击穿可以作为静电放电的快速电流路径，从而能够提高晶体管器件的静电防护能力。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 静电 防护 能力 晶体管 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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