[发明专利]埋入式字线结构及其形成方法、存储器

摘要

本发明涉及集成电路领域，提供了一种埋入式字线结构及其形成方法、存储器。所述埋入式字线结构包括具有沟槽的基底以及形成于沟槽中的字线，沟槽包括沿深度方向相互连通的第一沟槽和第二沟槽，其中第二沟槽远离基底表面，且第二沟槽的平均宽度大于第一沟槽的平均宽度，即字线的下端较上端宽，有助于减小字线的电阻以及减小尖端聚集效应，在用作存储器的晶体管时，有利于晶体管的可靠性。依照所述埋入式字线结构的形成方法可形成上述埋入式字线结构。所述存储器包括上述埋入式字线结构。