[发明专利]并联通道配置中的MOS功率晶体管有效
| 申请号： | 201811096538.1 | 申请日： | 2018-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN109525230B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | F·布鲁格;C·德耶拉希-切克;A·迈耶 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/16 | 分类号： | H03K17/16;H03K17/687 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱;崔卿虎 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文公开了并联通道配置中的MOS功率晶体管。一种电路，包括：第一金属氧化物半导体(MOS)功率晶体管，具有第一栅极端子、第一漏极端子和第一源极端子；第二MOS功率晶体管，具有第二栅极端子、第二漏极端子与第二源极端子；以及开关，连接在第一栅极端子与第二栅极端子之间并且被配置为选择性地耦合第一栅极端子和第二栅极端子。 | ||
| 搜索关键词： | 并联 通道 配置 中的 mos 功率 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种电路，包括：‑第一MOS功率晶体管，具有第一栅极端子、第一漏极端子和第一源极端子，‑第二MOS功率晶体管，具有第二栅极端子、第二漏极端子和第二源极端子，以及‑开关，被连接在所述第一栅极端子与所述第二栅极端子之间，并且被配置为选择性地耦合所述第一栅极端子和所述第二栅极端子。
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