[发明专利]一种LED外延接触层的生长方法在审
| 申请号： | 201811096911.3 | 申请日： | 2018-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN110931605A | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 张义;马旺;王建立;王成新 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/04;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种LED外延接触层的生长方法，依次生成衬底层、缓冲层、非掺杂GaN层、n型AlGaN层、n型GaN层、量子阱层、P型AlGaN层、P型GaN层以及生长超晶格接触层。第一超晶格叠加周期子层通入Mg源，不通入In源，第二超晶格叠加周期子层通入In源，不通入Mg源，第三超晶格叠加周期子层Mg源和In源均通入，以此规律将三个子层重复叠加，超晶格接触层生长结束经过一次升温稳定固化。由于GaN、Mg3N2、InGaN的晶格不匹配和特殊的超晶格接触结构，从而诱发极化电场，使界面处积累大量空穴并进一步扩展，有效降低接触电阻，降低LED的驱动电阻，提高LED的性能品质。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 外延 接触 生长 方法 | ||
【主权项】：
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