[发明专利]一种二硫化钼隧穿晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201811098347.9 | 申请日： | 2018-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN109378341A | 公开（公告）日： | 2019-02-22 |
| 发明（设计）人： | 陈琳;刘浩;孙清清;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/34 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;陆尤 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体技术领域，具体为一种二硫化钼隧穿晶体管及其制备方法。本发明隧穿晶体管以二硫化钼薄膜线条作为隧穿晶体管的沟道；源漏电极形成在所述沟道两侧，与所述二硫化钼薄膜线条形成肖特基接触；顶栅介质层采用高K材料，形成在所述沟道区上并覆盖所述源漏电极。本发明通过原子层沉积工艺生长二硫化钼并在硫氛围下进行高温退火，材料性能得到极大提升，在此基础上制备的顶栅晶体管，开关比在104以上，迁移率可达到10以上。本发明工艺更加安全，并且有效降低了原材料成本，能够满足大规模生产的需要。 | ||
| 搜索关键词： | 隧穿晶体管 二硫化钼 制备 二硫化钼薄膜 源漏电极 沟道 线条 半导体技术领域 原子层沉积工艺 顶栅晶体管 肖特基接触 原材料成本 材料性能 顶栅介质 高温退火 高K材料 沟道区 开关比 迁移率 生长 覆盖 安全 | ||
【主权项】：
1.一种二硫化钼隧穿晶体管制备方法，其特征在于，具体步骤为：采用原子层沉积工艺在衬底上形成二硫化钼薄膜，并进行高温退火；图形化二硫化钼，进行光刻、刻蚀得到二硫化钼线条，作为隧穿晶体管的沟道；再次进行光刻，在所述沟道两侧曝光形成源漏电极图案，淀积金属并剥离后形成源漏电极，与所述二硫化钼线条形成肖特基接触；采用原子层沉积工艺在所述沟道上淀积高K材料作为顶栅介质层，进行光刻曝光形成顶栅图案，淀积金属并剥离后形成顶栅。
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