[发明专利]一种EMCCD器件多层多晶硅栅结构制作方法

摘要

本发明一种EMCCD器件多层多晶硅栅结构制作方法，它包括设置基板（1），在基板（1）上生成二氧化硅膜层（2），在二氧化硅膜层（2）上生成氮化硅膜层（3），在氮化硅膜层（3）上生成有第一多晶硅栅（4）、第二多晶硅栅（6）、第三多晶硅栅（8）、第四多晶硅栅（10），且在第一多晶硅栅（4）、第二多晶硅栅（6）、第三多晶硅栅（8）、第四多晶硅栅（10）上均设有氧化介质层。本发明提高了多晶硅对氮化硅的选择比，且在刻蚀的过程中，减少了氮化硅膜层的损失，最大程度保证了不同多晶硅下方氮化硅层厚度的一致性，改善了EMCCD器件的电学参数,减少了多晶硅栅的线条损失，制作出结构完整的多层多晶硅栅结构。

主权项

1.一种EMCCD器件多层多晶硅栅结构制作方法，它包括以下步骤：a、设置基板（1），在基板（1）上生成二氧化硅膜层（2），在二氧化硅膜层（2）上生成氮化硅膜层（3），其特征在于：b、在氮化硅膜层（3）上生成有一组第一多晶硅栅（4），每个第一多晶硅栅（4）之间还设有一定距离，在第一多晶硅栅（4）表面生成有第一氧化介质层（5）；c、在相邻的两个第一多晶硅栅（4）之间的氮化硅膜层（3）上均生成有第二多晶硅栅（6），第二多晶硅栅（6）与两侧的第一多晶硅栅（4）均设有一定距离，在第二多晶硅栅（6）表面生成有第二氧化介质层（7）；d、在第二多晶硅栅（6）与一侧的第一多晶硅栅（4）之间的氮化硅膜层（3）上生成有第三多晶硅栅（8），第三多晶硅栅（8）的一侧与第一氧化介质层（5）连接，其另一侧与第二氧化介质层（7）连接，在第三多晶硅栅（8）表面生成有第三氧化介质层（9）； e、在第二多晶硅栅（6）与另一侧的第一多晶硅栅（4）之间的氮化硅膜层（3）上生成有第四多晶硅栅（10），第四多晶硅栅（10）的一侧与第一多晶硅栅（4）连接，其另一侧与第二多晶硅栅（6）连接，在第四多晶硅栅（10）表面生成有第四氧化介质层（11）；f、在任意一个第一氧化介质层（5）、一个第二氧化介质层（7）、一个第三氧化介质层（9）以及一个第四氧化介质层（11）上均孔刻蚀形成孔（12），在每个孔（12）内通过溅铝工艺形形成铝线（13），所述铝线（13）的下端与对应多晶硅栅形成连接配合。