[发明专利]一种基于二硫化钼的长程介质加载的混合等离子波导在审

专利信息
申请号: 201811100812.8 申请日: 2018-09-20
公开(公告)号: CN108957628A 公开(公告)日: 2018-12-07
发明(设计)人: 朱君;王各;娄健;徐政杰 申请(专利权)人: 广西师范大学
主分类号: G02B6/122 分类号: G02B6/122
代理公司: 桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司 45112 代理人: 刘梅芳
地址: 541004 广西壮*** 国省代码: 广西;45
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摘要: 发明公开了一种基于二硫化钼的长程介质加载的混合等离子波导,包括自下而上顺序叠接的低折射率基底层、低折射率缓冲层、硫化物层和脊层,其中,所述低折射率缓冲层和低折射率基底层的接触端面的形状、大小一致,所述硫化物层与低折射率缓冲层的接触端面的面积小于低折射率缓冲层的上表面面积且其接触端面的边与低折射率缓冲层的上表面的对应边之间有间距;所述脊层与硫化物层的接触端面的面积小于硫化物层的上表面面积且其接触端面的边与硫化物层的上表面的对应边之间有间距。这种波导能够提高更强的局域化约束和更长的传播距离,具备为表面等离子激励电路提供基本单元器件,能实现更大的带宽超快数据传输。
搜索关键词: 低折射率 硫化物层 缓冲层 接触端 上表面 波导 二硫化钼 介质加载 等离子 基底层 长程 表面等离子 传播距离 大小一致 单元器件 激励电路 数据传输 局域化 叠接 带宽
【主权项】:
1.一种基于二硫化钼的长程介质加载的混合等离子波导,包括自下而上顺序叠接的低折射率基底层、低折射率缓冲层、硫化物层和脊层,其中,所述低折射率缓冲层和低折射率基底层的接触端面的形状、大小一致,所述硫化物层与低折射率缓冲层的接触端面的面积小于低折射率缓冲层的上表面面积且其接触端面的边与低折射率缓冲层的上表面的对应边之间有间距;所述脊层与硫化物层的接触端面的面积小于硫化物层的上表面面积且其接触端面的边与硫化物层的上表面的对应边之间有间距。
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