[发明专利]一种基于钛掺杂石墨烯量子点的氧化镓的紫外探测器件及其制备方法

摘要

本发明属于半导体光电器件技术领域，具体涉及一种基于钛掺杂石墨烯量子点的氧化镓的紫外探测器件及其制备方法，所述基于钛掺杂石墨烯量子点的氧化镓的紫外探测器件在蓝宝石上设置GaN缓冲层，然后设置厚度为4～6um的GaN/掺杂氧化镓/n型AlGaN超晶格吸收层，结晶质量极高，非常适合做各种极端环境下的深紫外探测器。

主权项

1.一种基于钛掺杂石墨烯量子点的氧化镓的紫外探测器件，自下而上依次包括：透明导电衬底，GaN缓冲层，GaN/掺杂氧化镓/n型AlGaN超晶格吸收层，导电电极；所述GaN/掺杂氧化镓/n型AlGaN超晶格吸收层包括多个周期性交替生长的n型GaN层、掺杂氧化镓层和n型AlGaN层，所述GaN/掺杂氧化镓/n型AlGaN超晶格吸收层中各单层的厚度为10～100nm；所述掺杂氧化镓为钛掺杂石墨烯量子点的氧化镓，所述钛掺杂石墨烯量子点的氧化镓包括β‑Ga2O3基质材料，掺杂质量分数0.005％～0.03％的钛掺杂石墨烯量子点。