[发明专利]一种具有渐变式电荷补偿层的横向超结功率器件在审
| 申请号： | 201811101522.5 | 申请日： | 2018-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN109309119A | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 吴丽娟;雷冰;张席旗;张银艳;朱琳;黄也 | 申请（专利权）人： | 长沙理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 410114 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有渐变式电荷补偿层的横向超结功率器件，属于半导体功率器件技术领域。由于常规横向超结功率器件中存在衬底辅助耗尽（Substrate Assisted Depletion,SAD）效应，所以本发明是在常规横向超结功率器件的超结层和衬底之间引入从源到漏厚度线性增加的渐变式电荷补偿层。实现了对超结PN条的线性补偿，同时可以优化漂移区内的电场分布，从而屏蔽超结器件SAD效应，实现超结层的电荷平衡，最终带来高的击穿电压和低的比导通电阻。采用本发明可获得各种性能优良的具有渐变式电荷补偿层的高耐压低比导横向超结功率器件。 | ||
| 搜索关键词： | 功率器件 电荷补偿 渐变式 横向超结 超结 常规横向 超结层 衬底 半导体功率器件 漂移 厚度线性增加 比导通电阻 超结器件 电场分布 电荷平衡 击穿电压 线性补偿 屏蔽 耗尽 引入 优化 | ||
【主权项】：
1.一种具有渐变式电荷补偿层的横向超结功率器件，包括P型衬底11、N型渐变式电荷补偿层24以及N型漂移区22，包括P型衬底11下端设置衬底电极54，所述N型漂移区22中设置有N型掺杂条23以及P型掺杂条13，N型掺杂条23以及P型掺杂条13组成超结结构，且该超结结构设置在N型渐变式电荷补偿层24的上端，所述N型漂移区22中还设置有P型体区14以及第二N型重掺杂区25，所述P型体区14中包括相互独立的第一N型重掺杂区21和P型重掺杂区12。
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