[发明专利]用于QLED的空穴注入层的制作方法和QLED显示装置有效
| 申请号： | 201811102214.4 | 申请日： | 2018-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN109256477B | 公开（公告）日： | 2020-05-26 |
| 发明（设计）人： | 贺晓悦;谢涛峰;王庆浦 | 申请（专利权）人： | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 张京波;曲鹏 |
| 地址： | 230012 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种用于QLED的空穴注入层的制作方法和QLED显示装置，其中，用于QLED的空穴注入层的制作方法包括：形成压印模具；形成导电聚合物膜层；采用压印模具对导电聚合物膜层进行压印处理，使得导电聚合物膜层中包括阵列排列的第一凸起；对压印处理后的导电聚合物膜层进行刻蚀处理，以形成包括阵列排列的凸起的空穴注入层。本发明实施例通过压印模具对导电聚合物膜层进行压印并对其进行刻蚀，使得空穴注入层包括阵列排列的凸起，增大了空穴注入层的光线传输效率，进而提高了QLED的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 qled 空穴 注入 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于QLED的空穴注入层的制作方法，其特征在于，包括：形成压印模具；形成导电聚合物膜层；采用所述压印模具对导电聚合物膜层进行压印处理，使得所述导电聚合物膜层中包括阵列排列的第一凸起；对压印处理后的导电聚合物膜层进行刻蚀处理，以形成包括阵列排列的凸起的空穴注入层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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