[发明专利]柔性单晶兰姆波谐振器及其形成方法有效
| 申请号： | 201811102525.0 | 申请日： | 2018-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN109450401B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 庞慰;孙新;张孟伦 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02;H03H9/17 |
| 代理公司： | 北京汉智嘉成知识产权代理有限公司 11682 | 代理人： | 姜劲;谷惠敏 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供一种柔性单晶兰姆波谐振器及其形成方法。该方法包括：提供硬质基底；在硬质基底之上形成牺牲层；在牺牲层之上形成单晶薄膜层；将单晶薄膜层划分为器件区、周围区、窗口区和锚结构，窗口区用于将器件区和周围区隔开，锚结构用于连接器件区和周围区，然后在器件区之上形成叉指电极；刻蚀去除窗口区，保留器件区、锚结构和周围区；释放去除窗口区、锚结构和器件区下方的牺牲层，以使器件区和叉指电极在锚结构的作用下悬于硬质基底上；利用印章粘附器件区和叉指电极，然后断开锚结构从而使器件区和叉指电极脱离硬质基底；提供具有顶部空腔的柔性基底；利用印章将器件区和叉指电极转移至柔性基底之上并且覆盖对准顶部空腔。 | ||
| 搜索关键词： | 柔性 单晶兰姆波 谐振器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种柔性单晶兰姆波谐振器的形成方法，其特征在于，包括：提供硬质基底；在所述硬质基底之上形成牺牲层；在所述牺牲层之上形成单晶薄膜层；将所述单晶薄膜层划分为器件区、周围区、窗口区和锚结构，所述窗口区用于将所述器件区和所述周围区隔开，所述锚结构用于连接所述器件区和所述周围区，然后在所述器件区之上形成叉指电极；刻蚀去除所述窗口区，保留所述器件区、锚结构和周围区；释放去除所述窗口区、锚结构和器件区下方的牺牲层，以使所述器件区和所述叉指电极在所述锚结构的作用下悬于所述硬质基底上；利用印章粘附所述器件区和所述叉指电极，然后断开所述锚结构从而使所述器件区和所述叉指电极脱离所述硬质基底；提供具有顶部空腔的柔性基底；利用所述印章将所述器件区和所述叉指电极转移至所述柔性基底之上并且覆盖对准所述顶部空腔。
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