[发明专利]磁增强法拉第屏蔽结构及感应耦合等离子体源在审
| 申请号： | 201811102594.1 | 申请日： | 2018-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN110536530A | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 李兴存 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H05H1/10 | 分类号： | H05H1/10;H05H1/24 |
| 代理公司： | 11218 北京思创毕升专利事务所 | 代理人： | 孙向民;廉莉莉<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种磁增强法拉第屏蔽结构及感应耦合等离子体源，磁增强法拉第屏蔽结构包括内层和套设于内层外侧的外层，内层和外层之间形成容置空间，容置空间内设有磁性件。磁增强法拉第屏蔽结构可以通过内层和外层共同形成的屏蔽层减弱感应耦合线圈电压导致的介质窗溅射和化学腐蚀，并可以通过磁性件补偿屏蔽层导致的感应耦合线圈功率耦合效率降低。 | ||
| 搜索关键词： | 内层 法拉第屏蔽 磁增强 感应耦合线圈 容置空间 磁性件 屏蔽层 感应耦合等离子体源 功率耦合效率 化学腐蚀 介质窗 溅射 | ||
【主权项】：
1.一种磁增强法拉第屏蔽结构，其特征在于，包括内层和套设于所述内层外侧的外层，所述内层和所述外层之间形成容置空间，所述容置空间内设有磁性件。/n
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