[发明专利]浮栅型闪存及其制作方法有效
| 申请号： | 201811103347.3 | 申请日： | 2018-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN109216465B | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 罗清威;李赟;周俊 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L27/11521;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了浮栅型闪存及其制作方法，所述方法包括：提供一基底；在基底上形成一第一凹槽；在第一凹槽内形成隔离层；在第一凹槽内形成浮栅，并由浮栅在第一凹槽内界定出一第二凹槽；在浮栅的表面上形成极间介质层；在第二凹槽中形成控制栅；对基底的顶表面进行离子注入工艺，以形成漏极层。本发明提供的浮栅型闪存的制造方法，提高了浮栅存储器件的存储密度。 | ||
| 搜索关键词： | 浮栅型 闪存 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种浮栅型闪存的制作方法，其特征在于，所述方法包括：提供一基底，所述基底中由下至上依次形成有源极层和有源层；在所述基底上形成一第一凹槽，所述第一凹槽贯穿所述有源层并延伸至所述源极层中；在所述第一凹槽内形成隔离层，所述隔离层的顶部位置低于所述第一凹槽的顶部位置；在所述第一凹槽内形成浮栅，所述浮栅靠近所述第一凹槽的内侧壁，并由所述浮栅在所述第一凹槽内界定出一第二凹槽；在所述浮栅的表面上形成极间介质层；在所述第二凹槽中形成控制栅，所述控制栅位于所述极间介质层上，以利用所述极间介质层隔离所述浮栅和所述控制栅；对所述基底的所述有源层的顶表面进行离子注入工艺，以在所述有源层的顶表面中形成漏极层。
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