[发明专利]主动注入电流触发锁定的静电芯片保护电路在审
申请号: | 201811103553.4 | 申请日: | 2018-09-20 |
公开(公告)号: | CN109256379A | 公开(公告)日: | 2019-01-22 |
发明(设计)人: | 刘淑慧;刘赛君;刘新明 | 申请(专利权)人: | 宁波奇巧电器科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 315000 浙江省宁波市海曙区集*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种静电保护设计,提出一种主动注入电流从而触发箝位开关(CMOS锁定或寄生NPN打开)以提高保护效能的方法。该电路包括触发部分和箝位开关部分。通过RC触发,主动注入电流从而触发CMOS锁定或寄生NPN,从而打开本地箝位开关。箝位开关部分可以是CMOS寄生之可控硅(SCR),也可以是寄生的NPN双极型三极管。 | ||
搜索关键词: | 箝位开关 触发 注入电流 锁定 寄生NPN 双极型三极管 芯片保护电路 静电保护 静电 可控硅 寄生 电路 | ||
【主权项】:
1.主动注入电流触发锁定的静电芯片保护电路其特征在于:包括触发电路和箝位开关电路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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