[发明专利]紫外探测器及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201811103925.3 申请日: 2018-09-21
公开(公告)号: CN109301007A 公开(公告)日: 2019-02-01
发明(设计)人: 白云;杨成樾;汤益丹;陈宏;田晓丽;刘新宇 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: H01L31/0328 分类号: H01L31/0328;H01L31/109;H01L31/18
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种紫外探测器及其制备方法,所述紫外探测器包括:按自下而上的顺序依次设置的N+型SiC衬底、N型SiC缓冲层、N型SiC集电区、P型SiC基区、N型Ga2O3发射区;设置于N+型SiC衬底下表面的集电极;以及设置于N型Ga2O3发射区上的发射极;其中,所述N型Ga2O3发射区的侧壁和所述P型SiC基区的侧壁共面。
搜索关键词: 紫外探测器 发射区 制备 衬底下表面 侧壁共面 依次设置 发射极 缓冲层 集电极 集电区 侧壁 衬底
【主权项】:
1.一种紫外探测器,包括:按自下而上的顺序依次设置的N+型SiC衬底、N型SiC缓冲层、N型SiC集电区、P型SiC基区、N型Ga2O3发射区;设置于N+型SiC衬底下表面的集电极;以及设置于N型Ga2O3发射区上的发射极;其中,所述N型Ga2O3发射区的侧壁和所述P型SiC基区的侧壁共面。
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