[发明专利]紫外探测器及其制备方法在审
| 申请号： | 201811103925.3 | 申请日： | 2018-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN109301007A | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 白云;杨成樾;汤益丹;陈宏;田晓丽;刘新宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0328 | 分类号： | H01L31/0328;H01L31/109;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种紫外探测器及其制备方法，所述紫外探测器包括：按自下而上的顺序依次设置的N+型SiC衬底、N型SiC缓冲层、N型SiC集电区、P型SiC基区、N型Ga2O3发射区；设置于N+型SiC衬底下表面的集电极；以及设置于N型Ga2O3发射区上的发射极；其中，所述N型Ga2O3发射区的侧壁和所述P型SiC基区的侧壁共面。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外探测器 发射区 制备 衬底下表面 侧壁共面 依次设置 发射极 缓冲层 集电极 集电区 侧壁 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种紫外探测器，包括：按自下而上的顺序依次设置的N+型SiC衬底、N型SiC缓冲层、N型SiC集电区、P型SiC基区、N型Ga2O3发射区；设置于N+型SiC衬底下表面的集电极；以及设置于N型Ga2O3发射区上的发射极；其中，所述N型Ga2O3发射区的侧壁和所述P型SiC基区的侧壁共面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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