[发明专利]一种Au-Pd双金属薄膜修饰电极在审

专利信息
申请号: 201811104536.2 申请日: 2018-09-20
公开(公告)号: CN110927227A 公开(公告)日: 2020-03-27
发明(设计)人: 邵万均 申请(专利权)人: 邵万均
主分类号: G01N27/30 分类号: G01N27/30;G01N27/48
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 210000 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种Au‑Pd双金属薄膜修饰电极,该Au‑Pd双金属薄膜修饰电极的制备方法包括:1)将玻碳电极置于HCl和PdCl2的混合溶液中,在‑0.3V~0.8V(VS.SCE)的电位区间内连续扫描,即得纳米结构Pd薄膜修饰电极;2)将步骤1)制得的纳米结构Pd薄膜修饰电极置于H2SO4溶液中,在0V恒电位下极化,接着快速取出该电极并转移到HAuCl4溶液中,静置,即得所述Au‑Pd双金属薄膜修饰电极。本发明将钯直接沉积到玻碳电极表面,然后让该薄膜电极的钯充分吸氢,再利用它吸收的活性氢将HAuCl4还原,形成的纳米结构的Au‑Pd双金属薄膜具有较高的催化活性。
搜索关键词: 一种 au pd 双金属 薄膜 修饰 电极
【主权项】:
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