[发明专利]场氧化层结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201811105192.7 | 申请日： | 2018-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN110943030A | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 雷天飞;毛焜 | 申请（专利权）人： | 上海晶丰明源半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国（上海）*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种场氧化层结构及其制造方法，场氧化层结构包括衬底以及场氧化层，所述形成于所述衬底中，并在所述衬底中隔离出若干有源区；其中，所述场氧化层的两侧具有鸟嘴部，且所述鸟嘴部的长度与所述场氧化层的厚度之比介于0.2:1至0.4:1之间。本发明在在蚀刻去除衬垫氧化层之后，热氧化生长场氧化层之前，采用淀积、蚀刻氮氧化硅的方式形成限制侧墙，该限制侧墙可以保证在生长场氧化层时，鸟嘴的生长被限制侧墙所限制，从而可以显著减小鸟嘴的长度。本发明通过限制侧墙宽度的调整，可以严格控制鸟嘴的长度，从而提高有源区的面积及器件集成度，并有效提高有源区中器件的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
