[发明专利]硅单晶载流子寿命测量方法

摘要

本发明公开了一种硅单晶载流子寿命测量方法，运用S‑R‑H理论模型，在中等注入水平下寿命与注入比的关系式：通过二次或多次改变注入比η_i，测量出τ_i，可得到硅单晶的少数载流子寿命τ₀和注入比趋于无穷大时的τ_∞值，进而得到完整的τ＝f(η)曲线，获得晶体在任何注入比时的寿命值。从而克服国内外现有测量设备对同一晶体给出各不相同测量结果的混乱局面，为发行寿命标准样品，统一全国及全球的载流子寿命测量提供方案。

主权项

1.硅单晶载流子寿命测量方法，其特征在于，在中等注入水平时建立如下关系式：其中，τ表示寿命值，η表示注入比，τ0表示小注入下少数载流子寿命，τ∞表示η趋于无穷大时的复合寿命；在不同的η下至少两次测量τ值，根据上述公式计算出τ0和τ∞，对于一块硅单晶来说τ0和τ∞理论上为定值，得到τ＝f(η)寿命分布曲线；实际应用时，对于确定的η代入上述寿命分布曲线，即可得到唯一的寿命值。