[发明专利]二维MOSFET/MFIS多功能开关存储器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201811106311.0 | 申请日： | 2018-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN110943128B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 魏钟鸣;杨淮;李京波 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/34;G11C11/22 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二维MOSFET/MFIS多功能开关存储器件及其制备方法，制备出了全二维结构的集开关和存储特性为一体的纳米级多功能器件。其中MOSFET结构为掺杂Si，二氧化硅，二维半导体纳米片和源漏电极，实现开关功能；MFIS结构包括顶栅电极，二维铁电薄膜，立方氮化硼绝缘层薄片，二维薄层半导体纳米片和源漏电极，实现存储功能。以二维材料为沟道的场效应晶体管迁移率达到700cm2/Vs，开关比超过108；以二维铁电薄膜作为代替传统MFIS的铁电材料，突破了铁电薄膜的厚度限制，使其厚度降低至单原子层厚，约为1nm，通过施加在顶栅的电压大小，从而改变铁电薄膜的极化方向实现非易失信息存储。独特的二维MOSFET/MFIS结构，极大地提高了晶体管集成度和信息存储密度。 | ||
| 搜索关键词： | 二维 mosfet mfis 多功能 开关 存储 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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