[发明专利]功率二极管在审
| 申请号： | 201811107214.3 | 申请日： | 2018-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN109545859A | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | M.巴鲁西克;A.毛德 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 陈晓;申屠伟进 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明公开了功率二极管。一种功率二极管包括半导体主体，所述半导体主体被耦合到功率二极管的阳极金属化部和阴极金属化部。所述半导体主体具有第一导电类型的漂移区以及第二导电类型的阳极区。所述阳极区包括：被布置成与阳极金属化部接触的接触区域；被布置在接触区域下方的场停止区域；被布置在场停止区域下方和漂移区上方的主体区域。阳极区的电激活的掺杂剂浓度展现一分布图，其沿着垂直方向，根据所述分布图：第一最大值存在于接触区域内；第二最大值存在于场停止区域内；并且所述掺杂剂浓度从所述第一最大值连续减小到一局部最小值，并且从所述局部最小值连续增大到所述第二最大值。 | ||
| 搜索关键词： | 功率二极管 半导体主体 接触区域 停止区域 阳极区 阳极金属化 掺杂剂 分布图 漂移区 第一导电类型 导电类型 连续减小 连续增大 阴极金属 主体区域 电激活 耦合到 | ||
【主权项】：
1.一种功率二极管（1），其包括半导体主体（10），所述半导体主体（10）被耦合到功率二极管（1）的阳极金属化部（11）和阴极金属化部（12），其中所述半导体主体（10）具有第一导电类型的漂移区（100）以及第二导电类型的阳极区（101），所述阳极区（101）包括：‑被布置成与阳极金属化部（11）接触的接触区域（1011）；‑被布置在接触区域（1011）下方的场停止区域（1012）；‑被布置在场停止区域（1012）下方和漂移区（100）上方的主体区域（1013）；其中阳极区（101）的电激活的掺杂剂浓度展现一分布图，其沿着垂直方向（Z），根据所述分布图：‑第一最大值（31）存在于接触区域（1011）内；‑第二最大值（32）存在于场停止区域（1012）内；并且‑所述掺杂剂浓度从所述第一最大值（31）连续减小到一局部最小值（33），并且从所述局部最小值（33）连续增大到所述第二最大值（32）。
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