[发明专利]半导体器件和增强接口的信号完整性的方法有效
| 申请号： | 201811107923.1 | 申请日： | 2018-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN109585418B | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 何敦逸;陈泓铨;陈尚斌 | 申请（专利权）人： | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/552 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 李庆波 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 提供一半导体器件，包括基底，管芯和多个导电迹线。所述管芯安装在所述基底上。所述多个导电迹线布线在所述基底上并且连接到所述管芯。所述多个导电迹线至少包括多个第一导电迹线和多个第二导电迹线，所述多个第二导电迹线耦接到预定电压，用于提供屏蔽特性，以及所述多个第一导电轨迹和所述多个第二导电轨迹以基本上交错的方式被设置在所述基底上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 增强 接口 信号 完整性 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：基底；管芯，安装在所述基底上；以及多个导电迹线，布线在所述基底上并且连接到所述管芯，其中，所述多个导电迹线至少包括多个第一导电迹线和多个第二导电迹线，所述多个第二导电迹线耦接到预定电压，以提供屏蔽特性，以及其中，所述多个第一导电轨迹和所述多个第二导电轨迹以基本上交错的方式被设置在所述基底上。
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