[发明专利]一种碳化硅的欧姆接触的制备方法及器件在审
| 申请号： | 201811108372.0 | 申请日： | 2018-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN109037041A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 黄兴 | 申请（专利权）人： | 黄兴 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L29/45 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 400050 重庆市九*** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种碳化硅的欧姆接触的制备方法及器件，通过离子注入和激光退火在晶圆背面形成简并掺杂的碳化硅，并直接置放金属形成欧姆接触。该方法形成的欧姆接触质量和均匀性较好。本发明提供的制备方法，包括:步骤一、完成前序工艺步骤并得到具有一定厚度的碳化硅晶圆；步骤二、对碳化硅晶圆背面进行大剂量的离子注入；步骤三、用激光脉冲照射并逐点扫描晶圆背面，使碳化硅表面达到杂质激活温度并是其变成简并掺杂的碳化硅；步骤四、清洗激光照射后的晶圆表面；步骤五、在晶圆背面直接生长金属可以形成性能良好的欧姆接触。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 欧姆接触 晶圆背面 制备 掺杂的 简并 离子 激光脉冲照射 碳化硅表面 工艺步骤 激光退火 激光照射 金属形成 晶圆表面 杂质激活 直接生长 逐点扫描 均匀性 晶圆 置放 清洗 金属 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅的欧姆接触的制备方法，其特征在于，包括：步骤一、完成晶圆的前序工艺步骤；步骤二、对晶圆背面进行离子注入；步骤三、用激光照射离子注入区；步骤四、清洗光照后晶圆表面；步骤五、在晶圆背面形成金属。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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