[发明专利]氮化镓HEMT的制造方法在审
| 申请号： | 201811108986.9 | 申请日： | 2018-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN109346407A | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 张海涛 | 申请（专利权）人： | 张海涛 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/778;H01L29/417;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京智客联合知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11700 | 代理人： | 杨群 |
| 地址： | 214101 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明属于制造方法，具体涉及一种氮化镓HEMT的制造方法。一种氮化镓HEMT的制造方法，其中，在氮化镓基板上,电子移动层和电子供给层AlXGa1‑XN(0 | ||
| 搜索关键词： | 氮化镓HEMT 电子供给层 横向排列 制造 漏极 耐压 源极 化合物半导体装置 氮化镓基板 电子移动层 电压特性 依次设置 电极 应用 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓HEMT的制造方法，其特征在于：在氮化镓基板上,电子移动层和电子供给层AlXGa1‑XN(0
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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