[发明专利]一种低功耗三维非易失性存储器及其制备方法

摘要

本发明属于铁电存储技术领域，具体为一种低功耗三维非易失性存储器及其制备方法。每个存储单元不仅具有二极管一样的电流单向导通特性，而且还存在像选择管一样的读出开启电压，且开启电压可调。以上特征为高密度存储单元的三维互联提供了条件。在一个或多个实施案例中，该三维铁电存储器包括：铁电存储阵列的堆叠，其包含通过绝缘材料而彼此分离的铁电存储单元阵列；参考单元，所述参考单元与存储单元为一体；其中所述铁电存储单元两侧存在实质上正交的字线和位线。本发明的铁电存储器可以实现电流方式的非破坏性读出，具有单向导通性，可避免电路中存储单元间信息读写的串扰，并且制备简单、成本低，最终提高存储密度。

主权项

1.一种低功耗三维非易失性存储器，其特征在于，包括：堆叠式的铁电存储单元阵列：其中，所述铁电存储单元为铁电材料，且铁电存储单元两侧存在实质上正交的字线和位线；多个铁电存储单元阵列在若干层级处通过绝缘材料而分离；所述铁电存储单元极化方向与所施加的读写电场方向不垂直；所述铁电存储单元为在外加电场下铁电材料发生极化反转的部分；参考单元，所述铁电存储单元至少一侧与参考单元相接。