[发明专利]太阳能电池的烧结方法、制备方法、太阳能电池和烧结炉有效
| 申请号： | 201811112644.4 | 申请日： | 2018-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN110459469B | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 张一波;盛健;王伟;叶权华 | 申请（专利权）人： | 协鑫集成科技股份有限公司;协鑫集成科技（苏州）有限公司;张家港协鑫集成科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L31/18;H01L31/068 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 唐清凯 |
| 地址： | 201400 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种太阳能电池的烧结方法、制备方法、太阳能电池和烧结炉。其中，太阳能电池的烧结方法包括：对硅片正表面进行第一次升温处理；对进行了第一次升温处理的硅片正表面进行第二次升温处理；对进行了第二次升温处理的硅片正表面进行保温处理；对进行了保温处理的硅片正表面进行降温处理，以形成太阳能电池；其中第一次升温处理中硅片正表面的升温速率大于第二次升温处理中硅片正表面的升温速率。上述太阳能电池的烧结方法，使硅片表面钝化层内已经形成一定分布的氢离子浓度形成再分布，而再分布的氢离子可以有效的钝化硅片内部的缺陷杂质，从而起到很好的抑制光致衰减的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 烧结 方法 制备 烧结炉 | ||
【主权项】：
1.一种太阳能电池的烧结方法，其特征在于，所述方法包括：/n对硅片正表面进行第一次升温处理；/n对进行了第一次升温处理的硅片正表面进行第二次升温处理；/n对进行了第二次升温处理的硅片正表面进行保温处理；/n对进行了保温处理的硅片正表面进行降温处理，以形成所述太阳能电池；/n其中，所述第一次升温处理中硅片正表面的升温速率大于所述第二次升温处理中硅片正表面的升温速率。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
