[发明专利]半导体结构的形成方法及在晶圆上形成氧化硅膜的方法有效
| 申请号： | 201811112823.8 | 申请日： | 2018-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN110942974B | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 请求不公布姓名 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23C16/40 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 吴娅妮;于宝庆 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一半导体结构的形成方法及在晶圆上形成氧化硅膜的方法，该半导体结构的形成方法包括：在基底上形成第一氧化硅层；以及通过调整沉积工艺的射频功率和流量比在所述第一氧化硅层上形成第二氧化硅层；其中，所述射频功率为800～1500W，所述流量比是氧气与硅化物的流量比，所述流量比为(3～5):1。本发明一实施方式，通过调整沉积工艺的射频功率和流量比，使所述半导体结构表面具有较低含量的‑H和‑OH，进而形成疏水性表面，所述疏水性表面可以改善所述半导体结构与光阻之间的粘附性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 晶圆上 氧化 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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