[发明专利]一种三层氮化硅薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种三层氮化硅薄膜的制备方法，包括以下步骤：（1）准备材料：准备半导体衬底；（2）制备第一层薄膜：将所述的半导体衬底放入沉积设备中，设置第一沉积条件，所述第一沉积条件中的沉积温度均匀降低，沉积第一层氮化硅薄膜；（3）制备第二层薄膜：设置第二沉积条件，所述第二沉积条件中的沉积温度均匀降低，形成第二层氮化硅薄膜；（4）制备第三层薄膜：设置第三沉积条件，所述第三沉积条件中的沉积温度均匀降低，形成第三层氮化硅薄膜。本发明的一种三层氮化硅薄膜的制备方法，可有效改善氮化硅薄膜对晶硅太阳能电池的钝化效果、减反射效果，降低工艺时间，沉积温度逐渐降低节约能耗，降低用电成本。

主权项

1.一种三层氮化硅薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）准备材料：准备半导体衬底；（2）制备第一层薄膜：将所述的半导体衬底放入沉积设备中，在所述沉积设备的沉积腔中通入反应气体SiH4和NH3并通过设置第一沉积条件，所述第一沉积条件中的沉积温度均匀降低，在所述半导体衬底上沉积第一层氮化硅薄膜；（3）制备第二层薄膜：在步骤（2）结束后继续在所述沉积腔中通入反应气体SiH4和NH3，设置第二沉积条件，所述第二沉积条件中的沉积温度均匀降低，在所述第一层氮化硅薄膜的外表面形成第二层氮化硅薄膜；（4）制备第三层薄膜：在步骤（3）结束后继续在所述沉积腔中通入反应气体SiH4和NH3，设置第三沉积条件，所述第三沉积条件中的沉积温度均匀降低，在所述第二层氮化硅薄膜的外表面形成第三层氮化硅薄膜，最终形成三层氮化硅薄膜结构。