[发明专利]多光源激光开槽工艺在审
| 申请号： | 201811115104.1 | 申请日： | 2018-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN109396660A | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 金国根;沈黎艳;朱峰;余艳;孟毅;施俊;薛良 | 申请（专利权）人： | 力成科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | B23K26/38 | 分类号： | B23K26/38;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 刘宪池 |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多光源激光开槽工艺，其涉及芯片封装技术领域。旨在解决使用高号数的切割刀片及低切割速度的方式，对低介电常数的晶圆切割时，不能完全克服晶粒崩边的状况，而且切割速度偏低，产出率低，设备的产能也降低，高号数刀片的寿命短，生产成本高的问题。其技术方案要点包括以下步骤：S100，使用四窄光束激光对晶圆切割道内的低介电材料进行切割，形成开槽；S200，沿着所述开槽，使用切刀对晶圆切割道内的硅衬底进行切割。本发明能够克服晶粒表面崩边的状况，并且在切割过程中使用正常的切割刀片和切割速度，设备产能和刀片寿命都得到了提高。 | ||
| 搜索关键词： | 切割 晶圆切割道 激光开槽 切割刀片 号数 多光源 崩边 开槽 技术方案要点 芯片封装技术 低介电材料 低介电常数 晶粒 刀片寿命 晶粒表面 晶圆切割 切割过程 设备产能 产出率 硅衬底 窄光束 刀片 产能 切刀 生产成本 激光 | ||
【主权项】：
1.一种多光源激光开槽工艺，其特征在于：包括以下步骤：S100，使用四窄光束激光对晶圆切割道内的低介电材料进行切割，形成开槽；S200，沿着所述开槽，使用切刀对晶圆切割道内的硅衬底进行切割。
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