[发明专利]一种SF6 有效
| 申请号： | 201811115156.9 | 申请日： | 2018-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN109387752B | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 王邸博;傅明利;卓然;景一;罗颜;黄峰;张博雅;赵虎;赵炜玉;王琦;陈柔伊;胡巨 | 申请（专利权）人： | 南方电网科学研究院有限责任公司;中国南方电网有限责任公司 |
| 主分类号： | G01R31/12 | 分类号： | G01R31/12 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 麦小婵;郝传鑫 |
| 地址： | 510670 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种SF |
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| 搜索关键词： | 一种 sf base sub | ||
【主权项】：
1.一种SF6气体临界击穿场强计算方法，其特征在于，适用于突出物电极间的电场，包括：采用预设的公式，计算突出物尖端首电子产生阶段的临界电场强度；根据SF6气体有效电离系数和电极突出物电场强度，计算得到流注初始阶段的临界电场强度；采用预设的阶段先导发展模型，计算最小临界击穿场强及最大临界击穿场强，作为先导发展至击穿阶段的临界电场强度；根据所述首电子产生阶段的临界电场强度、流注初始阶段临界电场强度以及先导发展至击穿阶段的临界电场强度相叠加，确定SF6气体综合临界击穿电场强度。
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