[发明专利]一种金属铀表面渗硅改性层及其制备方法、制备装置有效

专利信息
申请号: 201811115836.0 申请日: 2018-09-25
公开(公告)号: CN109097725B 公开(公告)日: 2020-07-14
发明(设计)人: 张永彬;胡殷;闫婷文;朱康伟;周寰林;潘启发;钟火平;杨瑞龙;周萍;刘柯钊 申请(专利权)人: 中国工程物理研究院材料研究所
主分类号: C23C10/08 分类号: C23C10/08
代理公司: 成都君合集专利代理事务所(普通合伙) 51228 代理人: 张鸣洁
地址: 621700 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种金属铀表面渗硅改性层及其制备方法、制备装置,在金属铀表面的渗硅改性层;所述渗硅改性层的为陶瓷态的铀硅氧钝化膜;所述渗硅改性层的厚度为不低于200nm;本发明还公开了一种金属铀表面渗硅改性层的制备方法和制备装置,在真空度不超过30Pa的真空室中,以氩气和含硅元素的气体作为反应气体,采用脉冲激光扫描系统对温度为160~170℃的工件进行表面扫描。本发明在金属铀表面形成杂质含量低、化学稳定性高、与基体结合紧密的铀硅氧渗硅改性层,其具备良好的耐腐蚀能力,也为金属铀提供了一种解决铀表面防腐蚀问题的全新途径。另外,本发明对工件形状没有特殊要求,既适用于平面工件又适用于异形工件,具有较强的适应性。
搜索关键词: 一种 金属 表面 改性 及其 制备 方法 装置
【主权项】:
1.一种金属铀表面渗硅改性层,其特征在于:在金属铀表面的渗硅改性层;所述渗硅改性层的为陶瓷态的铀硅氧钝化膜;所述渗硅改性层的厚度为不低于200nm。
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