[发明专利]一种三维立体芯片生产工艺方法及其走线结构在审
| 申请号： | 201811116089.2 | 申请日： | 2018-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN109192671A | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 姚艳龙;赖定权;沙小强;陈香玉 | 申请（专利权）人： | 深圳市麦捷微电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/538;H01L41/047;H01L41/29 |
| 代理公司： | 深圳市千纳专利代理有限公司 44218 | 代理人： | 黄良宝 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种三维立体芯片生产工艺方法及其走线结构，涉及到声表面波器件芯片技术领域。解决现有的声表面波器件芯片采用平面工艺生产，产品体积大，不利于小型化发展需求的技术不足，首先在基片上制作第一金属层；然后在第一金属层上方需要与第二金属层相交的位置增加一层隔离胶层，并对隔离胶层的边缘进行梯度化处理；之后在基片上再制作经隔离胶层上横跨第一金属层的第二金属层。实现横纵两路信号的连接同时又没有短路，大大减小了芯片的面积，是芯片目前及未来不可或缺的技术。采用梯度化处理的隔离胶层边缘，可以有效防止空腔会塌陷，第二金属层易断裂，芯片性能上开路即器件功能失效的技术问题，可靠性好。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离胶层 第二金属层 第一金属层 芯片 声表面波器件 三维立体 芯片生产 走线结构 梯度化 芯片技术领域 两路信号 平面工艺 器件功能 短路 减小 空腔 制作 塌陷 开路 相交 断裂 横跨 生产 | ||
【主权项】：
1.一种三维立体芯片生产工艺方法，其特征在于所述方法首先在基片上制作第一金属层；然后在第一金属层上方需要与第二金属层相交的位置增加一层隔离胶层，并对隔离胶层的边缘进行梯度化处理；之后在基片上再制作经隔离胶层上横跨第一金属层的第二金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
