[发明专利]一种发光二极管外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 201811117462.6 | 申请日： | 2018-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN109273563A | 公开（公告）日： | 2019-01-25 |
| 发明（设计）人： | 张武斌;周盈盈;王坤;曹阳;陶章峰;胡自强;乔楠;吕蒙普 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/14;C23C16/34 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。方法：将AlN模板放置到金属有机化合物化学气相沉淀设备的反应室内，AlN模板包括衬底及覆盖在衬底上的AlN缓冲层；顺次在AlN缓冲层上沉积非掺杂GaN层、N型GaN层和多量子阱层，多量子阱层包括若干层叠的量子阱垒层，量子阱垒层包括InGaN阱层和GaN垒层，InGaN阱层的生长温度为780～820℃；在多量子阱层上沉积P型电子阻挡层，P型电子阻挡层包括低温段和高温段，低温段位于多量子阱层与高温段之间，低温段和高温段均为GaN层和AlGaN层交替生长的周期性结构，低温段的生长温度为800～900℃，高温段的生长温度为T高，50℃ |
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| 搜索关键词： | 低温段 多量子阱层 高温段 沉积 发光二极管外延 生长 量子阱垒 衬底 制备 发光二极管技术 金属有机化合物 非掺杂GaN层 周期性结构 沉淀设备 交替生长 垒层 室内 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述方法包括：将AlN模板放置到金属有机化合物化学气相沉淀设备的反应室内，所述AlN模板包括衬底及覆盖在所述衬底上的AlN缓冲层；顺次在所述AlN缓冲层上沉积非掺杂GaN层、N型GaN层和多量子阱层，所述多量子阱层包括若干层叠的量子阱垒层，所述量子阱垒层包括InGaN阱层和GaN垒层，所述InGaN阱层的生长温度为780～820℃；在所述多量子阱层上沉积P型电子阻挡层，所述P型电子阻挡层包括低温段和高温段，所述低温段位于所述多量子阱层与所述高温段之间，所述低温段和所述高温段均为GaN层和AlGaN层交替生长的周期性结构，所述低温段的生长温度为800～900℃，所述高温段的生长温度为T高，50℃
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