[发明专利]字线驱动器及其制备方法在审
| 申请号： | 201811117758.8 | 申请日： | 2018-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN110943083A | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L27/02;H01L29/423;H01L21/8242;G11C11/408 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种字线驱动器及其制备方法，所述方法包括：提供一基底，在基底内形成有源区，且基底包含用于形成NMOS的第一区域与用于形成PMOS的第二区域，形成凹槽在第一区域的基底内，凹槽呈闭合环形，填充金属材料层在凹槽内，刻蚀金属材料层，至剩余部分金属材料层在凹槽内，以形成NMOS栅极，形成第一介质层，第一介质层覆盖基底并填满所述凹槽，去除第二区域的第一介质层，在第二区域的基底上形成PMOS栅极。本发明提供的字线驱动器中的NMOS栅极为埋入式栅极，能够缩小字线驱动器的面积，减小单个chip面积，提高单片基底上的chip数量，降低成本；同时，NMOS栅极呈环形，可省去NMOS栅极互连线，并增大栅极接触的面积，增大制程窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 驱动器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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