[发明专利]压力传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 201811119704.5 | 申请日： | 2018-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN109211444A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 吕元杰;宋旭波;谭鑫;韩婷婷;周幸叶;冯志红;梁士雄 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | G01L1/16 | 分类号： | G01L1/16 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 王丽巧 |
| 地址： | 050051 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明适用于压力传感器技术领域，提供了一种压力传感器，包括硅衬底层、GaN外延层、压力测试电路、电路引脚和介质层；GaN外延层在硅衬底层上外延生长而成，GaN外延层上设有检测区，压力测试电路位于GaN外延层上的检测区内，电路引脚位于GaN外延层上的检测区外，介质层在GaN外延层上沉积而成并覆盖压力测试电路；硅衬底层设有通孔，通孔的横截面和检测区形状相同，通孔和检测区相对应。介质层的厚度影响压力传感器量程，通过改变介质层的厚度可以对压力传感器量程进行调节，降低了压力传感器量程控制难度。 | ||
| 搜索关键词： | 检测区 介质层 压力传感器量程 压力测试电路 硅衬底层 通孔 压力传感器 电路引脚 压力传感器技术 厚度影响 外延生长 沉积 制备 检测 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种压力传感器，其特征在于，包括：硅衬底层、GaN外延层、压力测试电路、电路引脚和介质层；所述GaN外延层在所述硅衬底层上外延生长而成，所述GaN外延层上设有检测区，所述压力测试电路位于所述GaN外延层上的检测区内，所述电路引脚位于所述GaN外延层上的检测区外，所述介质层在所述GaN外延层上沉积而成并覆盖所述压力测试电路；所述硅衬底层设有通孔，所述通孔的横截面和检测区形状相同，所述通孔和检测区相对应。
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