[发明专利]一种碳化硅位错检测方法在审
| 申请号： | 201811120149.8 | 申请日： | 2018-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN109270065A | 公开（公告）日： | 2019-01-25 |
| 发明（设计）人： | 邓辉;张翊 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学 |
| 主分类号： | G01N21/84 | 分类号： | G01N21/84;G01N1/28;G01N1/34;H01L21/66 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 唐致明 |
| 地址： | 518055 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及单晶材料位错检测技术领域，公开了碳化硅位错检测方法。本发明提供一种碳化硅位错检测方法，包括如下步骤：S1，设置晶圆；S2，使用带有刻蚀气体的等离子体火炬扫描晶圆表面，对晶圆表面进行刻蚀；S3，对晶圆进行冷却处理；S4，观察晶圆表面刻蚀坑的数目，从而计算得到晶圆的位错密度。本发明的碳化硅位错检测方法，可以方便、快速地得到碳化硅表面刻蚀坑的数目信息，耗时短、危害性小、便于流水线工作。 | ||
| 搜索关键词： | 位错 碳化硅 晶圆表面 晶圆 刻蚀 检测 等离子体火炬 检测技术领域 碳化硅表面 单晶材料 刻蚀气体 冷却处理 数目信息 流水线 耗时 危害性 扫描 观察 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅位错检测方法，其特征在于，包括如下步骤：S1，设置晶圆；S2，使用带有刻蚀气体的等离子体火炬扫描晶圆表面，对晶圆表面进行刻蚀；S3，对晶圆进行冷却处理；S4，观察晶圆表面刻蚀坑的数目，从而计算得到晶圆的位错密度。
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