[发明专利]基于Cu掺杂石墨烯提高光效的可见光通信器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201811120182.0 | 申请日： | 2018-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN109449262B | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 孙慧卿;刘天意;郭志友 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 李斌 |
| 地址： | 510631 广东省广州市天河区中*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于Cu掺杂石墨烯提高光效的可见光通信器件及其制备方法，所述可见光通信器件包括LED芯片结构，在所述LED芯片结构中，正电极层与P型层之间以及负电极层与衬底之间分别设置有金属纳米粒子掺杂的石墨烯层。本发明设置两层Cu纳米粒子掺杂的石墨烯层于可见光通信器件结构中，呈现出了等离子体增强效应，其器件的内量子效率以及光能量的转换效率均得到了很大的提升，局域表面等离子体的共振吸收，也有效的提高了激发态粒子的抽取速度。降低了效率下垂效应，提高了其可见光通信器件的发光效率和可见光器件的响应速率，使传输信号快速且更加稳定，其发光效率可有效的提高10‑20％。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 cu 掺杂 石墨 提高 可见 光通信 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.基于Cu掺杂石墨烯提高光效的可见光通信器件，其包括LED芯片结构，其特征在于，在所述LED芯片结构中，正电极层与P型层之间以及负电极层与衬底之间分别设置有金属纳米粒子掺杂的石墨烯层。
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