[发明专利]多层电子组件及制造该多层电子组件的方法有效

专利信息
申请号: 201811120412.3 申请日: 2018-09-26
公开(公告)号: CN109599266B 公开(公告)日: 2021-06-04
发明(设计)人: 韩昇勳;赵成珉;吴东俊 申请(专利权)人: 三星电机株式会社
主分类号: H01G4/12 分类号: H01G4/12;H01G4/30;H01G13/00
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 祝玉媛;武慧南
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种多层电子组件及制造该多层电子组件的方法,所述多层电子组件包括:电容器主体,所述电容器主体包括设置为分别通过相对的表面交替地暴露的第一内电极和第二内电极,且相应的介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间;第一薄膜层和第二薄膜层,所述第一薄膜层和第二薄膜层包括氮化钛(TiN)、钌(Ru)、铂(Pt)、铱(Ir)和钛(Ti)中的至少一种,设置在所述电容器主体的表面上,并分别连接到所述第一内电极和所述第二内电极;以及第一外电极和第二外电极,所述第一外电极和第二外电极分别形成在所述第一薄膜和所述第二薄膜层上。所述第一薄膜层或所述第二薄膜层的厚度小于或等于60nm。
搜索关键词: 多层 电子 组件 制造 方法
【主权项】:
1.一种多层电子组件,包括:电容器主体,所述电容器主体包括彼此面对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面并彼此面对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面和所述第二表面并且连接到所述第三表面和所述第四表面并彼此面对的第五表面和第六表面,并且包括设置为分别通过所述第三表面和所述第四表面交替地暴露的第一内电极和第二内电极,且相应的介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间;第一薄膜层和第二薄膜层,所述第一薄膜层和所述第二薄膜层包括氮化钛、钌、铂、铱和钛中的至少一种,分别设置在所述电容器主体的所述第三表面和所述第四表面上并分别连接到所述第一内电极和所述第二内电极;以及第一外电极和第二外电极,所述第一外电极和所述第二外电极分别形成在所述第一薄膜层和所述第二薄膜层上,其中,所述第一薄膜层或所述第二薄膜层的厚度小于或等于60nm。
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