[发明专利]电容器及其形成方法、半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201811120419.5 | 申请日： | 2018-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN110957303A | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种电容器及其形成方法、半导体器件及其形成方法，衬底上形成有介质层，所述介质层中形成有对应所述衬底的源极接触区的接触窗，所述接触窗的侧壁具有至少一个凹陷部，以使所述接触窗的侧壁呈方波状，然后将电容结构形成在所述接触窗中，所述电容结构的底部电极层及电介质层依次覆盖所述接触窗的内壁及所述凹陷部的内壁，且所述电介质层还延伸覆盖所述介质层，所述电容结构的顶部电极层填充所述接触窗及所述凹陷部并延伸覆盖所述电介质层位于所述衬底上的部分，所述凹陷部增加了所述底部电极层与顶部电极层的表面积，从而提高了所述电容结构存储电荷量，从而实现所述半导体器件存储能力和稳定性的提升。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 及其 形成 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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