[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201811120461.7 | 申请日： | 2018-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN110957280A | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/13 | 分类号： | H01L23/13;H01L23/522;H01L21/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构及其形成方法。在半导体结构的绝缘介质层中穿插有应力缓冲层，以反向制衡绝缘介质层的应力，避免在绝缘介质层的应力作用下导致基底发生翘曲的问题。并且，利用应力缓冲层还能够有效阻挡水汽侵入，一方面可以提高钝化层图形的精度，另一方面还可以避免应力缓冲层下方的膜层受到水汽侵蚀的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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