[发明专利]一种二维二硫化钼、二硫化钨薄片的电化学制备方法在审

专利信息
申请号: 201811121121.6 申请日: 2018-09-26
公开(公告)号: CN109110818A 公开(公告)日: 2019-01-01
发明(设计)人: 武卫明;张长松;阎冬;王书红;侯绍刚;周丽敏 申请(专利权)人: 安阳工学院
主分类号: C01G41/00 分类号: C01G41/00;C01G39/06;B82Y40/00;H01M4/58;H01M10/0525
代理公司: 安阳市智浩专利代理事务所(普通合伙) 41116 代理人: 杨红军
地址: 455000 河南*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 二硫化钼或者二硫化钼具有较好的储锂性能,且热和化学稳定性良好,为了提高其储锂性能和电极的倍率性能,需要将其制备为单分子层或者多分子层的二维纳米材料。本发明以“桶状”金属钛网或铂网为惰性阳极,将二硫化钼(或二硫化钨)粉体加入其中,以镍、石墨或者铂为阴极,以硫酸盐水溶液为电解质,成功剥离出了厚度在1‑20纳米的二维二硫化钼或二硫化钨纳米片。这种二维硫化物的纳米片具有优异的储锂性能。
搜索关键词: 二硫化钼 储锂性能 二硫化钨 二维 纳米片 阴极 二维纳米材料 硫酸盐水溶液 电解质 硫化物 电化学制备 化学稳定性 倍率性能 单分子层 惰性阳极 金属钛网 分子层 电极 石墨 铂网 粉体 桶状 制备 剥离 成功
【主权项】:
1.一种二维二硫化钼、二硫化钨薄片的电化学制备方法,其特征在于:通过电化学的方法将二硫化钼或者二硫化钨粉体材料剥离成厚度为单原子层或者多原子层的二维纳米片。
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