[发明专利]一种半导体结构制备方法在审
| 申请号： | 201811121735.4 | 申请日： | 2018-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN110957210A | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/033 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构制备方法，包括提供一待蚀刻层；于所述待蚀刻层表面形成芯模层；于所述待蚀刻层和所述芯模层表面形成侧墙材料层；在施加连续偏压功率和/或脉冲偏压功率条件下，采用等离子体蚀刻工艺回蚀刻所述侧墙材料层直至暴露出所述待蚀刻层及所述芯模层顶部，保留所述芯模层两侧的侧墙材料作为侧墙；去除所述芯模层；去除所述芯模层之后，以所述侧墙为掩模，蚀刻所述待蚀刻层。利用本发明，经由不同步骤依序控制降低半导体结构的线宽粗糙度，将图形特征结构准确的转移至衬底上，进而提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
