[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201811122513.4 | 申请日： | 2018-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN109616441B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 余振华;蔡惠榕;郭宏瑞;刘重希;普翰屏;柯亭竹 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了半导体器件及其制造方法。根据一些实施例，在半导体器件上方形成通孔，其中，半导体器件密封在密封剂内。金属化层和第二通孔形成在第一通孔上方并且与第一通孔电连接，以及使用相同的晶种层形成金属化层和第二通孔。实施例包括完全接合的通孔、与晶种层接触的部分接合的通孔以及不与晶种层接触的部分接合的通孔。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：形成至密封在密封剂中的第一半导体器件的第一通孔；在所述第一通孔上方形成晶种层；在所述晶种层上方形成金属化层，所述金属化层具有第一宽度；以及在所述金属化层上方形成第二通孔，所述第二通孔具有小于所述第一宽度的第二宽度，其中，形成所述金属化层和形成所述第二通孔均利用所述晶种层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
